Soutenance de thèse de Selsabil SEJIL (MATERIAUX)
"Optimisation de l’épitaxie VLS du semiconducteur 4H-SiC. Réalisation de dopages localisés dans 4H-SiC par épitaxie VLS et application aux composants de puissance SiC"
UMR5615 - LABORATOIRE DES MULTIMAT?RIAUX ET INTERFACES
Composition du jury :
- Monsieur ALQUIER Daniel, Professeur des Universités, Université Fran?ois-Rabelais de Tours
- Madame BANO Edwige, Professeure, Laboratoire IMEP-LAHC – UMR, Grenoble
- Madame BLANQUET Elisabeth, Directrice de Recherche CNRS de Grenoble
- Monsieur BRYLINSKI Christian, Professeur des Universités, Université Claude Bernard Lyon 1
- Monsieur COLLARD EMMANUEL, Responsable Industriel, ST Microelectronics, Tours
- Madame CONTRERAS Sylvie, Chargée de Recherche CNRS de Montpellier
- Monsieur LAZAR Mihai, Chargé de Recherche CNRS de Villeurbanne
- Monsieur ZEKENTES Konstantinos, Professeur, Foundation for Research & Technology Hellas (Grèce)
Membres invités :
- Monsieur ROCCAFORTE Fabrizio, Professeur, CNR de Catania (Italie)
- Madame LISSORGUE Ga?lle, Professeure des Universités, Université Paris-Est de Marne-la-Vallée